Инновации в АО «НИИ «Элпа»

В технологическую линейку НПК-1 АО «НИИ «Элпа» не было капитальных вложений около 30 лет. В период перестроек было не до обновления оборудования, в то время главное было – поддержать старое в рабочем состоянии. И наконец время настало: дальше тянуть нельзя, иначе отставание станет фатальным. Кроме того, решение задач по импортозамещению и созданию современных акустоэлектронных устройств напрямую связано с развитием и совершенствованием технологической базы.

В основу проекта АО «НИИ «Элпа» в 2015 году легли минимизация размера структур и снижение дефектности на поверхности акустоэлектронных устройств. Цель проекта – формирование изображения методом контактной фотолитографии. Это один из важнейших компонентов в планарной технологии, используемой в производстве устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Уровень фотолитографии (размер критического элемента) определяет частоту ПАВ-устройств (резонаторов, фильтров). Существовавший до 2015 года технологический уровень производственной базы позволял получать минимальный размер элементов не лучше, чем 1 мкм. Модернизация участка фотолитографии, а именно: создание участка субмикронной фотолитографии позволило уменьшить минимальный размер элементов до 0,4 мкм.

Благодаря усилиям владельцев компании и выделенному финансированию, удалось приобрести новое оборудование. Это позволило добиться важных результатов. Специалисты научно-производственного комплекса провели серьёзную работу по организации участка субмикронной фотолитографии, настройке параметров технологического процесса по требованиям к ПАВ устройствам. Введена в эксплуатацию и апробирована установка совмещения и экспонирования ЭМ-5096, позволяющая формировать изображение с размером элементов 0,4 ÷ 0,6 мкм, при условии использования кварцевых фотошаблонов, новых типов фоторезистов (таких как UV5 или UV60) и выполнении более высоких требований к операциям нанесения фоторезиста, его термообработки и проявления. Объективный контроль воспроизводимости техпроцесса обеспечивается при помощи приобретённого атомно-силового микроскопа.

В результате c помощью участка субмикронной фотолитографии по разработанному технологическому маршруту были изготовлены акустические линии задержки на частоту 1250 МГц с полосой пропускания 50 %. Минимальный размер элементов устройства – 0,4 мкм. Как уже подчёркивалось, это значительно меньше по сравнению с результатами, которых удавалось достигать раньше.

Кроме того, на основе субмикронной технологии возможно расширение диапазона частот изготавливаемых устройств на поверхностных акустических волнах до частот 1,5 – 2,0 ГГц.

Таким образом, мы можем с гордостью заявить, что у нашей компании есть хороший научно-технический задел для дальнейшего развития.